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Esaki, Leo

 
     
  japanischer Physiker, geboren 12.3.1925 Osaka; nach Tätigkeit (ab 1956) bei der Sony Corporation in Tokio seit 1961 in einem Forschungszentrum der IBM in Yorktown Heights (N.Y., USA); Arbeiten zur Festkörperphysik, insbesondere über die Physik dünner Schichten sowie die elektrischen und optischen Eigenschaften von Halbleitern; entdeckte 1957 bei der Untersuchung des Verhaltens von Elektronen beim Durchqueren von sehr dünnen Halbleiter-Grenzschichten (pn-Übergänge) das Auftreten des Tunneleffekts und entwickelte unter Ausnutzung dieses Effekts die unter anderem als kleiner und sehr schneller elektronischer Schalter sowie zur Verstärkung und Schwingungserzeugung dienende Tunneldiode (g Esaki-Diode); erhielt 1973 zusammen mit I. ) Giaever und B.D. Josephson den Nobelpreis für Physik.  
 

 

 

 
 
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